Транзисторы

Каталог
MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

50,00 ₽
MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА

47,00 ₽
MMBFJ271, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 30 В, -6 мА, -50 мА, 4.5 В, SOT-23, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ271, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 30 В, -6 мА, -50 мА, 4.5 В, SOT-23, JFET

8,00 ₽
MMBFJ309, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ309, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА

43,00 ₽
MMBFJ309LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ309LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА

47,00 ₽
MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА

47,00 ₽
MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В

37,00 ₽
MMBT2222ALT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 225 мВт, 600 мА, 40 hFE
Быстрый просмотр

Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

MMBT2222ALT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 225 мВт, 600 мА, 40 hFE

14,00 ₽
MMDT2907A-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, PNP, -60 В, 200 мВт, -600 мА, 100 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMDT2907A-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, PNP, -60 В, 200 мВт, -600 мА, 100 hFE, SOT-363

32,00 ₽
MMDT4413-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 40 В, 200 мВт, 600 мА, 100 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMDT4413-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 40 В, 200 мВт, 600 мА, 100 hFE, SOT-363

32,00 ₽
MMDT5451-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMDT5451-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363

28,00 ₽
MMDT5551-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMDT5551-7-F, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, 160 В, 200 мВт, 200 мА, 80 hFE, SOT-363

32,00 ₽
MMO62-16IO6, Модуль тиристора, антипараллельный, 25А, 1600В
Быстрый просмотр

Ixys

MMO62-16IO6, Модуль тиристора, антипараллельный, 25А, 1600В

1 840,00 ₽
MMPQ3904, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 1 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOIC
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMPQ3904, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 1 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOIC

150,00 ₽
MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MMPQ3906, Массив биполярных транзисторов, Четверной PNP, -40 В, 1 Вт, -200 мА, 30 hFE, SOIC

180,00 ₽
MMRF1015NR1, РЧ полевой транзистор, 0.27 В, 1 МГц, 2 ГГц, TO-270
Быстрый просмотр

NXP

MMRF1015NR1, РЧ полевой транзистор, 0.27 В, 1 МГц, 2 ГГц, TO-270

1 940,00 ₽
MMUN2114LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

MMUN2114LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 10 кОм, 47 кОм

13,00 ₽
MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

MMUN2132LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 4.7 кОм

13,00 ₽
MMUN2133LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

MMUN2133LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм

13,00 ₽
MMUN2134LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

MMUN2134LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 47 кОм

16,00 ₽