Транзисторы

Каталог
IXA12IF1200PB, БТИЗ транзистор, 20 А, 2.1 В, 85 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXA12IF1200PB, БТИЗ транзистор, 20 А, 2.1 В, 85 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

290,00 ₽
IXA20I1200PB, БТИЗ транзистор, 33 А, 2.1 В, 130 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXA20I1200PB, БТИЗ транзистор, 33 А, 2.1 В, 130 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

290,00 ₽
IXA33IF1200HB, БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 250 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXA33IF1200HB, БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 250 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

390,00 ₽
IXA37IF1200HJ, БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 195 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXA37IF1200HJ, БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 195 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

740,00 ₽
IXDR30N120D1, БТИЗ транзистор, изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXDR30N120D1, БТИЗ транзистор, изолированный, 50 А, 2.4 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)

1 120,00 ₽
IXFN132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 112 А, 500 В, 0.039 Ом, 10 В, 5 В
Быстрый просмотр

Модули МОП-транзисторов

IXFN132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 112 А, 500 В, 0.039 Ом, 10 В, 5 В

2 450,00 ₽
IXGP20N120A3, БТИЗ транзистор, 40 А, 2.5 В, 180 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Ixys

IXGP20N120A3, БТИЗ транзистор, 40 А, 2.5 В, 180 Вт, 1.2 кВ, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

480,00 ₽
J105, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 500 мА, 10 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J105, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 500 мА, 10 В

85,00 ₽
J107, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), Полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 100 мА, 100 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J107, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), Полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 100 мА, 100 мА

97,00 ₽
J109, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 40 мА, 6 В, TO-92
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J109, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 40 мА, 6 В, TO-92

40,00 ₽
J111-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J111-D26Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 20 мА, -10 В

43,00 ₽
J111, РЧ полевой транзистор, 35 В, 625 мВт, TO-92
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J111, РЧ полевой транзистор, 35 В, 625 мВт, TO-92

41,00 ₽
J113-D74Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -35 В, 2 мА, -3 В, TO-92, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J113-D74Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -35 В, 2 мА, -3 В, TO-92, JFET

42,00 ₽
J176-D74Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -2 мА, -25 мА, 4 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

J176-D74Z, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -2 мА, -25 мА, 4 В

44,00 ₽
L312F, Модуль тиристорного мостового выпрямителя, однофазный, 15А, 600В
Быстрый просмотр

Crouzet

L312F, Модуль тиристорного мостового выпрямителя, однофазный, 15А, 600В

6 350,00 ₽
MBT2222ADW1T1G, Массив биполярных транзисторов, N Канал, 40 В, 150 мВт, 600 мА, 35 hFE, SC-70
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MBT2222ADW1T1G, Массив биполярных транзисторов, N Канал, 40 В, 150 мВт, 600 мА, 35 hFE, SC-70

22,00 ₽
MBT3904DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 300 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MBT3904DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 300 hFE, SOT-363

17,00 ₽
MBT3904DW1T1H, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MBT3904DW1T1H, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-363

31,00 ₽
MBT3946DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, PNP, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 250 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

MBT3946DW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, PNP, 40 В, 150 мВт, 200 мА, 250 hFE, SOT-363

17,00 ₽
MCD56-12IO1B, Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 60А, 1.2кВ
Быстрый просмотр

Ixys

MCD56-12IO1B, Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 60А, 1.2кВ

2 040,00 ₽