Транзисторы

Каталог
MCD94-22IO1B, Модуль тиристора, последовательное подключение, 163А, 2.2кВ
Быстрый просмотр

Ixys

MCD94-22IO1B, Модуль тиристора, последовательное подключение, 163А, 2.2кВ

4 310,00 ₽
MCH5908H-TL-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 16 мА, 32 мА, -1.5 В, SC-88A, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MCH5908H-TL-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 16 мА, 32 мА, -1.5 В, SC-88A, JFET

69,00 ₽
MCH6661-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.8 А, 30 В, 0.145 Ом, 10 В, 2.6 В
Быстрый просмотр

МОП-транзисторы - &lt,600В

MCH6661-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1.8 А, 30 В, 0.145 Ом, 10 В, 2.6 В

48,00 ₽
MCH6664-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -1.5 А, -30 В, 0.458 Ом, -4 В, -2.6 В
Быстрый просмотр

МОП-транзисторы - &lt,600В

MCH6664-TL-W, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -1.5 А, -30 В, 0.458 Ом, -4 В, -2.6 В

48,00 ₽
MCO500-18IO1, Модуль тиристора, одиночный, 880А, 1.8кВ
Быстрый просмотр

Ixys

MCO500-18IO1, Модуль тиристора, одиночный, 880А, 1.8кВ

14 160,00 ₽
MD120HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом, 18 В, 5.6 В
Быстрый просмотр

Модули МОП-транзисторов

MD120HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом, 18 В, 5.6 В

47 980,00 ₽
MD200HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 299 А, 1.2 кВ, 0.0067 Ом, 18 В, 5.6 В
Быстрый просмотр

Модули МОП-транзисторов

MD200HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 299 А, 1.2 кВ, 0.0067 Ом, 18 В, 5.6 В

61 910,00 ₽
MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В
Быстрый просмотр

Модули МОП-транзисторов

MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В

76 230,00 ₽
MD400HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 542 А, 1.2 кВ, 0.0033 Ом, 18 В, 5.6 В
Быстрый просмотр

Модули МОП-транзисторов

MD400HFR120C2S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 542 А, 1.2 кВ, 0.0033 Ом, 18 В, 5.6 В

102 970,00 ₽
MMBF4093, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 8 мА, -5 В, SOT-23, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4093, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 8 мА, -5 В, SOT-23, JFET

39,00 ₽
MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET

45,00 ₽
MMBF4391, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4391, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА

24,00 ₽
MMBF4391LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4391LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА

45,00 ₽
MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В

45,00 ₽
MMBF4393, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -30 В, 5 мА, 30 мА, -3 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF4393, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -30 В, 5 мА, 30 мА, -3 В

22,00 ₽
MMBF5461, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, -2 мА, -9 мА, 7.5 В, SOT-23, Универсальный
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBF5461, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, -2 мА, -9 мА, 7.5 В, SOT-23, Универсальный

43,00 ₽
MMBFJ108, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 80 мА, 80 мА
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ108, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 80 мА, 80 мА

49,00 ₽
MMBFJ110, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 10 мА, -4 В, SuperSOT, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ110, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 10 мА, -4 В, SuperSOT, JFET

50,00 ₽
MMBFJ112, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ112, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В

44,00 ₽
MMBFJ113, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

MMBFJ113, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В

50,00 ₽