Фильтрация

IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]

25,00 ₽

Мощный 2-канальный P-MOSFET от Infineon, идеален для компактных схем с высокой плотностью компонентов. Купить от FedExpert

Артикул: 84744 Категория: IR

Описание

Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual P-channel configuration.

Технические параметры

Структура	2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.25 ом при-1a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	2.5
Корпус	so8
Пороговое напряжение на затворе	-3
Вес, г	0.15