The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance
Технические параметры
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 ом при 3a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Вес, г | 0.15 |

