MOSFETs
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube
Технические параметры
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 ом при-5.3a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2.5 |
| Вес, г | 0.15 |


