The AUIRFS3206 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.
• Advanced process technology
• Enhanced dV/dt and di/dt capability
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height (mm) | 4.83(Max) |
| Package Length (mm) | 10.67(Max) |
| Package Width (mm) | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.33 |


