The AUIRFS3006-7P is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263CB |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 240А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Вес, г | 2.722 |

