The AUIRFR8403 is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device. It is suitable for electric power steering, glow plug, relay replacement, window lifter, start/stop micro hybrid and heavy loads.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Рассеиваемая Мощность | 99Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Вес, г | 4.5 |

