Транзисторы

Каталог
A1P35S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.95 В, 250 Вт, 1.2 кВ, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A1P35S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.95 В, 250 Вт, 1.2 кВ, Module

3 750,00 ₽
A1P35S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.95 В, 250 Вт, 1.2 кВ, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A1P35S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.95 В, 250 Вт, 1.2 кВ, Module

3 650,00 ₽
A2C25S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.95 В, 197 Вт, 1.2 кВ, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A2C25S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.95 В, 197 Вт, 1.2 кВ, Module

4 830,00 ₽
A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module

4 050,00 ₽
A2P75S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.95 В, 454.5 Вт, 1.2 кВ, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A2P75S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.95 В, 454.5 Вт, 1.2 кВ, Module

5 720,00 ₽
A2P75S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.95 В, 454.5 Вт, 1.2 кВ, Module
Быстрый просмотр

ST Microelectronics

A2P75S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.95 В, 454.5 Вт, 1.2 кВ, Module

5 640,00 ₽
AFGB40T65SQDN, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 238 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

AFGB40T65SQDN, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 238 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

410,00 ₽
AFGHL40T65SPD, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

AFGHL40T65SPD, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

530,00 ₽
AFIC901NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В, 1.8 МГц, 1 ГГц, HVQFN
Быстрый просмотр

NXP

AFIC901NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В, 1.8 МГц, 1 ГГц, HVQFN

350,00 ₽
AFM907NT1, РЧ полевой транзистор, LDMOS, 30 В DC, 65.7 Вт, 136 МГц, 941 МГц, DFN
Быстрый просмотр

NXP

AFM907NT1, РЧ полевой транзистор, LDMOS, 30 В DC, 65.7 Вт, 136 МГц, 941 МГц, DFN

290,00 ₽
AFT05MS003NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 30.5 Вт, 1.8 МГц, 941 МГц, SOT-89
Быстрый просмотр

NXP

AFT05MS003NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 30.5 Вт, 1.8 МГц, 941 МГц, SOT-89

220,00 ₽
AFT05MS004NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 28 Вт, 136 МГц, 941 МГц, SOT-89
Быстрый просмотр

NXP

AFT05MS004NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 28 Вт, 136 МГц, 941 МГц, SOT-89

230,00 ₽
AFT05MS031GNR1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 294 Вт, 136 МГц, 520 МГц, TO-270
Быстрый просмотр

NXP

AFT05MS031GNR1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 294 Вт, 136 МГц, 520 МГц, TO-270

1 480,00 ₽
AFT09MS031GNR1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 317 Вт, 764 МГц, 941 МГц, TO-270
Быстрый просмотр

NXP

AFT09MS031GNR1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 317 Вт, 764 МГц, 941 МГц, TO-270

1 630,00 ₽
AFT09MS031NR1, РЧ FET транзистор, 40В DC, 31Вт, 136МГц, 520МГц, TO-270
Быстрый просмотр

NXP

AFT09MS031NR1, РЧ FET транзистор, 40В DC, 31Вт, 136МГц, 520МГц, TO-270

1 400,00 ₽
AFT20S015GNR1, РЧ полевой транзистор, 65 В, 11 Вт, 1805 МГц, 2700 МГц, TO-270
Быстрый просмотр

NXP

AFT20S015GNR1, РЧ полевой транзистор, 65 В, 11 Вт, 1805 МГц, 2700 МГц, TO-270

2 820,00 ₽
AFV10700HR5, РЧ полевой транзистор, LDMOS, 105 В DC, 526 Вт, 1.03 ГГц, 1.09 ГГц, NI-780H
Быстрый просмотр

NXP

AFV10700HR5, РЧ полевой транзистор, LDMOS, 105 В DC, 526 Вт, 1.03 ГГц, 1.09 ГГц, NI-780H

34 300,00 ₽
AIGW40N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.66 В, 250 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Infineon

AIGW40N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 74 А, 1.66 В, 250 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

630,00 ₽
AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Infineon

AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

640,00 ₽
AIGW50N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

Infineon

AIGW50N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

640,00 ₽