МОП-транзисторы - 600В или >,
2SK3566(STA4,Q,M), МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 900 В, 6.4 Ом, 10 В, 4 В
МОП-транзисторы - 600В или >,
2SK3799, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 1.3 Ом, 10 В, 4 В
МОП-транзисторы - 600В или >,
2SK4177-DL-1E, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 1.5 кВ, 10 Ом, 10 В
ON Semiconductor
2SK932-22-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 7.3 мА, 24 мА, -1.4 В, SC-59, JFET
ON Semiconductor
2SK932-24-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 7.3 мА, 24 мА, -1.4 В, SC-59, JFET
Биполярные РЧ Транзисторы
2ST31A, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 Вт, 3 А, 25 hFE
Биполярные РЧ Транзисторы
2STN1360, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 60 В, 130 МГц, 1.6 Вт, 3 А, 280 hFE
Биполярные РЧ Транзисторы
2STN1550, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 1.6 Вт, 5 А, 100 hFE
Биполярные РЧ Транзисторы
2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 500 мВт, -1 А, 45 hFE
МОП-транзисторы - 600В или >,
2V7002LT1G, МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 115 мА, 60 В, 7.5 Ом, 10 В, 1 В
МОП-транзисторы - <,600В
Биполярные РЧ Транзисторы
50A02MH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 690 МГц, 600 мВт, -500 мА, 200 hFE
Solid State
Solid State
Solid State
Solid State
Fuji Electric
6MBP50VAA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 2 В, 192 Вт, 600 В, Module
Fuji Electric
7MBR50VB-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module
ST Microelectronics
A1P25S12M3-F, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.95 В, 197 Вт, 1.2 кВ, Module
ST Microelectronics
A1P25S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.95 В, 197 Вт, 1.2 кВ, Module