IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3×3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)

Name: IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF) - FedExpert
SKU: 84822
Price: 35.00 RUB
Availability: InStock

35,00 ₽

Мощный P-канальный MOSFET от Infineon, 30В, идеальный для низких потерь и высокой эффективности. Купить от FedExpert

Артикул: 84822 Категория: IR

Описание

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.01 ом при-11a, -20в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.8
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	pqfn 3.3×3.3 mm
Пороговое напряжение на затворе	-1.3…-2.4
Вес, г	0.43

IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3×3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)

Технические параметры

Похожие товары

Вход

Регистрация