The IRFHM8363TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for power stage for high frequency buck converters, battery protection charge and discharge switch applications.
• Low thermal resistance to PCB (<,6.7°C/W)
• Low profile
• Industry-standard pin-out
• Compatible with existing surface-mount techniques
• Halogen-free
Технические параметры
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0149 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Корпус | pqfn 3.3×3.3 mm |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Вес, г | 0.43 |

