Транзисторы

Каталог
NGTB40N120FL3WG, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NGTB40N120FL3WG, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

740,00 ₽
NGTB40N120S3WG, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NGTB40N120S3WG, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

670,00 ₽
NGTB40N65FL2WG, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.7 В, 366 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.7 В, 366 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

410,00 ₽
NGTB45N60S2WG, БТИЗ транзистор, 90 А, 2 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG, БТИЗ транзистор, 90 А, 2 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

230,00 ₽
NGTG15N60S1EG, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

150,00 ₽
NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 45 Вт, 4 А, 300 hFE, TO-252
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 45 Вт, 4 А, 300 hFE, TO-252

87,00 ₽
NSBC114YPDXV6T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

NSBC114YPDXV6T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм

42,00 ₽
NSBC123JPDXV6T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

NSBC123JPDXV6T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм

37,00 ₽
NSM4002MR6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 500 мкВт, 500 мА, 40 hFE, SC-74
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NSM4002MR6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 500 мкВт, 500 мА, 40 hFE, SC-74

39,00 ₽
NST3904DP6T5G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 350 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-963
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NST3904DP6T5G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 350 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-963

41,00 ₽
NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 357 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOT-563
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 357 Вт, 200 мА, 30 hFE, SOT-563

43,00 ₽
NST3946DP6T5G, Массив биполярных транзисторов, N и P Дополнение, 40 В, 240 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-963
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NST3946DP6T5G, Массив биполярных транзисторов, N и P Дополнение, 40 В, 240 мВт, 200 мА, 30 hFE, SOT-963

33,00 ₽
NST65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NST65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363

43,00 ₽
NSVJ3910SB3T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NSVJ3910SB3T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET

58,00 ₽
NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 32 мА, -1.5 В, MCPH, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 32 мА, -1.5 В, MCPH, JFET

88,00 ₽
NSVJ6904DSB6T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET
Быстрый просмотр

ON Semiconductor

NSVJ6904DSB6T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET

85,00 ₽
NSVMMUN2235LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Быстрый просмотр

Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы

NSVMMUN2235LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм

39,00 ₽
NSVT65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NSVT65010MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной PNP, -65 В, 380 мВт, -100 мА, 0.9 hFE, SOT-363

43,00 ₽
NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NSVT65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 300 hFE, SOT-363

43,00 ₽
NTE378, BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220
Быстрый просмотр

Двойные МОП-транзисторы

NTE378, BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220

290,00 ₽