Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы
EMH10FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы
Цифровые / с Предварительным Смещением Биполярные Транзисторы
Диоды - Выпрямители Шоттки
EMN11FHT2R, Диод слабых сигналов, Двойная Пара с Общим Катодом, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 4 А
Диоды - Выпрямители Шоттки
EMP11FHT2R, Диод слабых сигналов, Двойная Пара с Общим Анодом, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 4 А
Двойные МОП-транзисторы
EMT52T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -50 В, 150 мВт, -100 мА, 120 hFE, SOT-563
Двойные МОП-транзисторы
EMZ1T2R, Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 50 В, 150 мВт, 150 мА, 120 hFE, EMT
Диоды - Выпрямители Шоттки
ES07B-GS18, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 1.2 А, 980 мВ, 25 нс, 30 А
Taiwan Semiconductor
ES1AL R3G, Быстрый / ультрабыстрый диод, 50 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
Taiwan Semiconductor
ES1B R2G, Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
Taiwan Semiconductor
ES1BL R3G, Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
Taiwan Semiconductor
ES1C R3G, Быстрый / ультрабыстрый диод, 150 В, 1 А, Одиночный, 920 мВ, 35 нс, 30 А
Taiwan Semiconductor
ES1CL R3G, Быстрый / ультрабыстрый диод, 150 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
