Транзисторы

Каталог
ULQ2003ADR, транзисторная сборка NPN 50В 0.5А SOIC16
Быстрый просмотр

Транзисторы биполярные импортные

ULQ2003ADR, транзисторная сборка NPN 50В 0.5А SOIC16

43,00 ₽
UMD12N, Биполярный транзистор NPN+PN 50В 100мА 150мВт SOT-363
Быстрый просмотр

Транзисторы биполярные импортные

UMD12N, Биполярный транзистор NPN+PN 50В 100мА 150мВт SOT-363

2,00 ₽
UMD22N, Биполярный транзистор NPN+PNP 50В 100мА 150мВт SOT-363
Быстрый просмотр

Транзисторы биполярные импортные

UMD22N, Биполярный транзистор NPN+PNP 50В 100мА 150мВт SOT-363

2,00 ₽
UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]

100,00 ₽
UT6898G-S08-R, Транзистор 2N-MOSFET 20В 8/10А [SOP-8]
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

UT6898G-S08-R, Транзистор 2N-MOSFET 20В 8/10А [SOP-8]

100,00 ₽
UTG16N65, IGBT транзистор, 650B, 16A, 33Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
Быстрый просмотр

IGBT транзисторы

UTG16N65, IGBT транзистор, 650B, 16A, 33Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0

49,08 ₽
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd — рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3

23,00 ₽
VB2290, P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог IIRLML6302
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VB2290, P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог IIRLML6302

5,21 ₽
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

25,00 ₽
VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

39,00 ₽
VBA2309, 1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог SI4405DY-T1,Si4463CDY,SI4477DY
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBA2309, 1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог SI4405DY-T1,Si4463CDY,SI4477DY

37,97 ₽
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

32,00 ₽
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

55,00 ₽
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE

100,00 ₽
VBE1615, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRFR2905ZPbF
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBE1615, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRFR2905ZPbF

40,75 ₽
VBE18R02S, MOP транзистор, N-канал 800V, аналог STD1NK80ZT4
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBE18R02S, MOP транзистор, N-канал 800V, аналог STD1NK80ZT4

101,87 ₽
VBJ2658, P-Channel 60-V (D-S) MOSFET аналог IRFL9014TRPBF , BSP171PH6327XTSA1, SP171P
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBJ2658, P-Channel 60-V (D-S) MOSFET аналог IRFL9014TRPBF , BSP171PH6327XTSA1, SP171P

31,49 ₽
VBL2610N, N-Channel -60-V,-30A (D-S) MOSFET аналог IRF9Z34STRRPBF
Быстрый просмотр

Транзисторы полевые импортные

VBL2610N, N-Channel -60-V,-30A (D-S) MOSFET аналог IRF9Z34STRRPBF

47,96 ₽
VBM16I20, IGBT транзистор, 600B, 20A, (TO-220) аналог IRGB20B60PD1PBF
Быстрый просмотр

IGBT транзисторы

VBM16I20, IGBT транзистор, 600B, 20A, (TO-220) аналог IRGB20B60PD1PBF

137,99 ₽
VBMB16I30, IGBT транзистор, 600B, 30A, 170Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
Быстрый просмотр

IGBT транзисторы

VBMB16I30, IGBT транзистор, 600B, 30A, 170Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0

169,48 ₽