PD85004, РЧ полевой транзистор, 40 В, 2 А, 6 Вт, 1 ГГц, SOT-89
370 руб.
Нашли дешевле?
-
+
В корзину
Купить в 1 клик
Актуальную цену уточняйте info@fedexpert.ru или по номеру +7 (495) 849-26-37
Описание
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\РЧ Полевые Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Частота | 1ггц |
Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-89 |
Типичный коэффициент усиления по мощности | 17 dB |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 4.6мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальный непрерывный ток стока | 2 A |
Тип корпуса | SOT-89 |
Максимальное рассеяние мощности | 6 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 2.6мм |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
Высота | 0.44мм |
Максимальное напряжение сток-исток | -40 В |
Число контактов | 3 |
Размеры | 4.6 x 2.6 x 0.44мм |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Материал транзистора | Кремний |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 16 пФ при 13,6 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -0,5 В, +15 В |
Вес, г | 0.052 |
Отзывы
Задать вопрос
Задать вопрос
Дополнительно
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.