The AUIRF7103Q is a 50V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. The automotive MOSFET offers benchmark figure of merit performance and their design optimized to address key applications such as electric power steering, injection, micro hybrid and HEV.
• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Automotive qualified
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Рассеиваемая Мощность | 2.4Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50в |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Вес, г | 0.5 |

