The AUIRLR3110Z is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.
• Advanced process technology
• Logic level gate drive
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 42А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.011Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Вес, г | 0.699 |

