The AUIRFL014NTR is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is suitable for port injection application.
• Advanced planar technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Вес, г | 0.006 |



