STGW20V60DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.8 В, 167 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
330 руб.
Нашли дешевле?
-
+
В корзину
Купить в 1 клик
Актуальную цену уточняйте info@fedexpert.ru или по номеру +7 (495) 849-26-37
Описание
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
Стиль Корпуса Транзистора | to-247 |
Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
DC Ток Коллектора | 40А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Длина | 15.75мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 40 A |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 167 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 5.15мм |
Высота | 20.15мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 15.75 x 5.15 x 20.15мм |
Скорость переключения | 1МГц |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20V |
Тип канала | N |
Вес, г | 6.695 |
Отзывы
Задать вопрос
Задать вопрос
Дополнительно
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.