Корпус SO-8, Кол-во супервизоров 1, Пороговое напряжение 4.3 В
Полупроводники — МикросхемыСпециальные Функции
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 10В |
| Минимальное Напряжение Питания | 1В |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Тип Корпуса ИС | SOIC |
| Функция Микросхемы | Определение Недостаточного Напряжения |
| Максимальная рабочая температура | +125 C |
| Длина | 5мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 1 В |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип стабилизатора напряжения | Маломощный контур обнаружения недостаточного напряжения |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Ширина | 4мм |
| Минимальное пороговое напряжение сброса | 4.15V |
| Максимальное пороговое напряжение сброса | 4.45V |
| Высота | 1.5мм |
| Количество супервизоров | 1 |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 10 V |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Вес, г | 0.076 |


