The IS61LV5128AL-10TLI is a 512K x 8 very high-speed low power high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized by 524288-word by 8-bit. The IS61LV5128AL is fabricated using ISSI’s high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 250µW typical with CMOS input levels. The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible.
• High-speed access times — 10ns
• High-performance, low-power CMOS process
• Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
• Easy memory expansion with CE and OE
• CE Power-down
• Fully static operation: no clock or refresh required
• TTL compatible inputs and outputs
• Single 3.3V power supply
Полупроводники — МикросхемыПамятьSRAM
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Диапазон Напряжения Питания | 3.135В до 3.6В |
| Время Доступа | 10нс |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Конфигурация Памяти SRAM | 512К x 8бит |
| Максимальная рабочая температура | +85 C |
| Длина | 18.52мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 3,135 В |
| Производитель | ISSI |
| Объем памяти | 4Мбит |
| Тип синхронизации | Асинхронный |
| Тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| Low Power | Yes |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Максимальное время произвольного доступа | 10нс |
| Ширина | 10.29мм |
| Организация | 512К слов x 8 бит |
| Высота | 1.05мм |
| Ширина адресной шины | 19бит |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 3,63 В |
| Число контактов | 44 |
| Размеры | 18.52 x 10.29 x 1.05мм |
| Количество слов | 512K |
| Количество бит на слово | 8бит |
| Вес, г | 0.454 |


