CY62167EV30LL-45BVXI, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.2В до 3.6В, FBGA, 48 вывод(-ов), 45 нс
The CY62167EV30LL-45BVXI is a 16Mb high performance CMOS static RAM organized as 1M words by 16-bits or 2M words by 8-bits. This device features an advanced circuit design that provides an ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing More Battery Life (MoBL®) in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that reduces power consumption by 99% when addresses are not toggling. Place the device into standby mode when deselected. The input and output pins are placed in a high impedance state when the device is deselected, outputs are disabled, both byte high enable and byte low enable are disabled or a write operation is in progress. To write to the device, take chip enables and write enable input LOW. If byte low enable is LOW, then data from I/O pins is written into the location specified on the address pins.
• Ultra-low standby power
• Ultra-low active power
• Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE
• Automatic power-down when deselected
• CMOS for optimum speed/power
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
Технические параметры
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
Диапазон Напряжения Питания | 2.2В до 3.6В |
Время Доступа | 45нс |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | FBGA |
Размер Памяти | 16Мбит |
Конфигурация Памяти SRAM | 1М x 16бит |
Вес, г | 0.675 |
Задать вопрос
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.