S29AL008J70TFI010, Флеш память, Параллельная NOR, 8 Мбит, 1М x 8бит / 512К x 16бит, CFI, TSOP, 48 вывод(-ов)
170,00 ₽
Быстрая КМОП Flash-память 8МБ с временем доступа 70нс, идеальна для высокоскоростных микропроцессоров и внутрисистемного программирования. Купить от FedExpert
S29AL008J70TFI010 является КМОП Flash памятью 8МБ, которая состоит из 1048576 байт или 524288 слов. На DQ15 — DQ0 выводятся данные шириной в слово, а на DQ7 — DQ0 выводятся данные шириной в байт. Это устройство предназначено для внутрисистемного программирования со стандартным источником питания 3VCC. Устройство также может быть запрограммировано с помощью стандартных программаторов EPROM. Данная память обеспечивает время доступа до 70нс, что позволяет высокоскоростным микропроцессорам работать без состояний ожидания. Для устранения конфликтов шины, устройство обладает отдельными выводами активаций (CE#), (WE#) и (OE#). Для функций считывания и записи этому устройству необходим только один источник питания 3В. Для процессов программирования и стирания предусмотрены внутренние и стабилизированные напряжения. S29AL008J полностью командно-совместима со стандартом JEDEC. Команды записываются в регистр команд, используя стандартную синхронизацию записи микропроцессора.
• Устройство с верхним загрузочным сектором
• Изготовлен по технологии 110нм — полностью совместим с 200нм S29AL008D
• Безопасная кремниевая зона сектора
• Гибкая архитектура сектора
• Аппаратный метод блокировки сектора для предотвращения любых операций программирования или удаления в этом секторе
• Сокращает общее время программирования, выдавая несколько последовательностей команд программы
• Совместимость по выводам и ПО с Flash устройствами с однополярным питанием
• Превосходная защита от непреднамеренной записи
• Высокая производительность
• Очень низкий уровень энергопотребления
• Срок службы 1000000 циклов на сектор
• Типичное значение удержания данных 20 лет
• Остановка/продолжение процесса стирания
• Опрос данных и биты переключения
• Предоставляет аппаратный метод обнаружения завершения циклов программирования или стирания
• Аппаратный метод для сброса устройства
Полупроводники — МикросхемыПамятьFLASH
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Тип Интерфейса ИС | CFI |
| Время Доступа | 70нс |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP |
| Размер Памяти | 8Мбит |
| Конфигурация Флэш-памяти | 1М x 8бит / 512К x 16бит |
| Линейка Продукции | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Тип Flash Памяти | Параллельная NOR |
| Максимальная рабочая температура | +85 C |
| Длина | 18.5мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 2.7 V |
| Производитель | Cypress Semiconductor |
| Объем памяти | 8Мбит |
| Тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Максимальное время произвольного доступа | 70нс |
| Ширина | 12.1мм |
| Организация | 1M x 8 bit, 512K x 16 bit |
| Высота | 1.05мм |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 3.6 V |
| Число контактов | 48 |
| Размеры | 18.5 x 12.1 x 1.05мм |
| Тип интерфейса | CFI, Параллельный |
| Тип ячейки | ИЛИ-НЕ |
| Количество слов | 1M, 512k |
| Количество бит на слово | 8 bit, 16 bit |
| Вес, г | 2.38 |
