A25L032M-F, Флеш память, двойной I/O, низкое напряжение, Последовательная NOR, 32 Мбит, 32М x 1бит
The A25L032M-F is a 32M x 1-bit low voltage dual-I/O Serial Flash Memory with advanced write protection mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to 256 bytes at a time, using the Page Program instruction. The memory is organized as 64 blocks, each containing 16 sectors. Each sector is composed of 16 pages. The whole memory can be erased using the chip erase instruction, a block at a time, using block erase instruction or a sector at a time, using the sector erase instruction.
• Each page is 256 bytes wide
• Flexible sector architecture with 4kB sectors
• Page program (up to 256 bytes) in 1.5ms (typical)
• SPI bus compatible serial interface
• 15µA Maximum deep power down mode
• Advanced protection
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
Минимальная Рабочая Температура | 0 C |
Максимальная Рабочая Температура | 70 C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Тип Интерфейса ИС | Последовательный, SPI |
Тактовая Частота | 100мгц |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | sop |
Размер Памяти | 32Мбит |
Конфигурация Флэш-памяти | 32М x 1бит |
Линейка Продукции | 3V Serial NOR Flash Memories |
Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
Вес, г | 0.717 |
Задать вопрос
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.