MB85RS256APNF-G-JNE1, NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, SPI, SOIC
The MB85RS256APNF-G-JNE1 is a 256K (32K x 8-bit) SPI FRAM Chip in a configuration of 32768 words x 8-bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the non-volatile memory cells. The chip is able to retain data without using a data backup battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the chip can be used for 1010 read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E2PROM. The chip does not take long time to write data unlike flash memories nor E2PROM and this takes no wait time.
• Serial peripheral interface
• 25MHz Maximum operating frequency
• 10 Billion read/writes high endurance
Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая RAM
Технические параметры
Тип памяти | FRAM |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальное Напряжение Питания | 3В |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Тип Интерфейса ИС | spi |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
Размер Памяти | 256Кбит |
Конфигурация Памяти NVRAM | 32К x 8бит |
Вес, г | 1.905 |
Задать вопрос
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.