MT41K128M16JT-125 XIT является памятью 1.35V DDR3L SDRAM. Это низковольтная версия памяти 1.5V DDR3 SDRAM. Если не указано иное, устройство DDR3L SDRAM соответствует функциональным и временным спецификациям, указанным в стандарте эквивалентной плотности или автомобильной DDR3 SDRAM.
• VDD = VDDQ = 1.35В (1.283 до 1.45В)
• Обратная совместимость до VDD = VDDQ = 1.5В ±0.075В
• Дифференциальный двунаправленный строб данных
• Архитектура выборки с упреждением 8 бит
• Дифференциальные входы тактового генератора (CK, CK#)
• 8 внутренних блоков
• Номинальная и динамическая ODT для данных, стробирующих сигналов и сигналов маски
• Программируемая CAS (считывание) задержка (CL)
• Программируемая Posted CAS дополнительная задержка (AL)
• Программируемая CAS (запись) задержка (CWL)
• Фиксированная длина пакета (BL) = 8 и обрезание пакета (BC) =4 (через MRS)
• Выбираемый BC4 или BL8 (OTF)
• Режим автоматического обновления
• TC от 0 до +95°C, 64мс, 8192-цикловое обновление при температуре от 0 до +85°C, 32мс при температуре от +85 до +95°C
• Температура самообновления (SRT)
• Автоматическое самообновление (ASR)
• Выравнивание записи
• Универсальный регистр
• Калибровка выхода драйвера
• Соответствует AEC-Q100
Полупроводники — МикросхемыПамятьDRAM
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 95 C |
| Количество Выводов | 96вывод(-ов) |
| Тип Интерфейса ИС | параллельный |
| Время Доступа | 1.25нс |
| Конфигурация памяти DRAM | 128М x 16бит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | FBGA |
| Вес, г | 4.427 |

