1EDF5673FXUMA1, MOSFET Driver, High Side, 3V to 3.5V Supply, 8A Out, 37ns Delay, SOIC-16
CoolGaN™ and similar GaN switches require a continuous gate current of a few mA in their on state. Besides, due to low threshold voltage and extremely fast switching transients, a negative off voltage level may be needed. Infineon's GaN EiceDRIVER™ solves these issues with very low effort. The two output stages shown below enable a zero off level to eliminate any duty-cycle dependence. In addition, the differential topology is able to provide negative gate drive without the need for a negative supply voltage. However, it requires a floating supply voltage not compatible with bootstrapping.
• Dedicated gate driver ICs for Infineon's high voltage GaN power switches (CoolGaN™, X-GaN™)
• Single output supply voltage (typ. 8 V, floating)
• Switching behavior independent of duty-cycle (2off voltage levels)
• Differential concept to ensure negative gate drive voltage under any condition
• Fast input-to-output propagation (37 ns) with excellent stability (+7/-6ns)
• Galvanic input-to-output isolation based on coreless transformer (CT) technology
• Common mode transient immunity (CMTI) >, 200 V/ns
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры
Технические параметры
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.5В |
Минимальное Напряжение Питания | 3В |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Задержка по Входу | 37нс |
Задержка Выхода | 37нс |
Пиковый Выходной Ток | 8А |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона |
Линейка Продукции | GaN EiceDRIVER product family |
Вес, г | 0.1 |
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.