LMG5200MOFT, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 4.75В - 5.25В питание, 10А выход, 29.5нс задержка, QFM-9
The LMG5200 device, an 80V, 10A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80V GaN FETs driven by one high-frequency GaNFET driver in a half-bridge configuration
• Ideal for isolated and non-isolated applications
• Gate driver capable of up to 10MHz switching
• Class D amplifiers for audio
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры
Технические параметры
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Максимальное Напряжение Питания | 5.25В |
Минимальное Напряжение Питания | 4.75В |
Количество Выводов | 9вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Привода | QFM |
Задержка по Входу | 29.5нс |
Задержка Выхода | 29.5нс |
Пиковый Выходной Ток | 10а |
Конфигурация Привода | полумост |
Вес, г | 0.454 |
Дополнительная вкладка, для размещения информации о магазине, доставке или любого другого важного контента. Поможет вам ответить на интересующие покупателя вопросы и развеять его сомнения в покупке. Используйте её по своему усмотрению.
Вы можете убрать её или вернуть обратно, изменив одну галочку в настройках компонента. Очень удобно.