IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]
34,00 ₽
Mighty P-Channel MOSFET: Infineon»s IRFR5305TRPBF delivers 31A, 55V, perfect for high-efficiency designs. Купить от FedExpert
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineons range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Технические параметры
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 ом при-16a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Корпус | dpak |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 |
| Вес, г | 0.4 |
![AUIRFSL4310, Транзистор Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, [TO-262]](https://fedexpert.ru/wp-content/uploads/2025/10/woocommerce-placeholder-768x768-247x296.webp)
![AUIRF1010Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-220AB]](https://fedexpert.ru/wp-content/uploads/2025/10/9c7684f63093c9d0b2757f7c06cefd1f.webp)