IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3×3.3]

Name: IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3] - FedExpert
SKU: 84819
Price: 61.00 RUB
Availability: InStock

61,00 ₽

Мощный N-канальный MOSFET в корпусе PQFN 3.3×3.3 мм, 30В, 21А. Идеален для защиты батареи, управления точкой нагрузки и переключения нагрузки. Низкие потери … Купить от FedExpert

Артикул: 84819 Категория: IR

Описание

The IRFHM830TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for battery protection, point of load ControlFET, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.

• Low RDS (ON) (&lt,3.8mR) results in low conduction losses
• Low thermal resistance to PCB (&lt,3.4°C/W) enables better thermal dissipation
• 100% Rg tested for increased reliability
• Halogen-free
• Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0038 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.7
Крутизна характеристики, S	52
Корпус	pqfn 3.3×3.3 mm
Пороговое напряжение на затворе	1.35…2.35
Вес, г	0.43

IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3×3.3]

Технические параметры

Похожие товары

Вход

Регистрация