The IRFB7545PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 95 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0059 ом при 57a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 90 |
| Корпус | to220ab |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Вес, г | 2.5 |



