The IRFB3307ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0058 ом при 75a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Крутизна характеристики, S | 320 |
| Корпус | to220ab |
| Особенности | быстродействующий мощный ключ |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |


