Фильтрация

IRF8910PBF, Транзистор HEXFET 2xN-канала 20В 10А 50мОм, [SO-8]

25,00 ₽

Мощный HEXFET MOSFET в корпусе SO-8, идеально подходит для высокоскоростных приложений. Выдерживает 20В и 10А, с сопротивлением открытого канала всего 10.7 м… Купить от FedExpert

Артикул: 84785 Категория: IR

Описание

MOSFET Transistor Type MOSFET Transist
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10.7 мОм

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0134 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	24
Корпус	so8
Пороговое напряжение на затворе	2.55
Вес, г	0.168