MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119 ом при 11a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 25 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Вес, г | 0.15 |


