MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 4.5A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 36A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Power Dissipation 2.5W Power, Pd 2.5W SMD Marking F7452 Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 5.5V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 ом при 2.7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 3.4 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5.5 |
| Вес, г | 0.15 |

