MOSFET, P, LOGIC, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -20V Current, Id Cont 5.3A Resistance, Rds On 0.04ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -4.5V Voltage, Vgs th Typ -0.7V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 21A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pin Configuration b Pin Format 1 S 2 S 3 S 4 G 5 D 6 D 7 D 8 D Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 1.6W Power, Pd 1.6W SMD Marking F7404 Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 20V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Технические параметры
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -7.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 ом при-3.2a, -4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 6.8 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.7 |
| Вес, г | 0.15 |


