The IRF7389PBF is a 30V dual N-channel and P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• Generation V technology
• Complimentary half bridge
• Surface mount
• Fully avalanche rated
Технические параметры
| Структура | n/p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30/-30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3/-5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 ом при 5.8a, 10в/0.058 ом при-4.9a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14/7.7 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -1/1 |
| Вес, г | 0.15 |


