MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity PP Voltage, Vds Typ -20V Current, Id Cont 9A Resistance, Rds On 0.018ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -4.5V Voltage, Vgs th Typ -1V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 71A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2W Power, Pd 2W SMD Marking IRF7324PBF Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Transistors, No. of 2 Voltage, Vds Max 20V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм
Технические параметры
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -9.0 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 ом при-9a, -4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 19 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.45/-1 |
| Вес, г | 0.15 |


