MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 98A Resistance, Rds On 0.008ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 390A External Depth 15.49mm External Length / Height 4.69mm Power Dissipation 150W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.7W Power, Pd 150W SMD Marking IRF3205S Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vgs th Max 4V Width, External 10.54mm
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 110 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 ом при 62a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 44 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |


