Schottky Barrier Diodes, 1A to 2A, ON Semiconductor
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 1 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 50 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 500 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.78 |
| при Iпр.,А | 1 |
| Общая емкость Сд,пФ | 42 |
| Рабочая температура,С | -55…175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | smb |
| Вес, г | 0.26 |

