Schottky Barrier Diodes, 200mA to 500mA, Nexperia
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 30 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 30 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.3 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 2 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.8 |
| при Iпр.,А | 0.1 |
| Общая емкость Сд,пФ | 10 |
| Рабочая температура,С | -65…125 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |

