Schottky Barrier Diodes, 200mA to 500mA, Nexperia
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 40 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 40 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.3 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 1 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.5 |
| при Iпр.,А | 0.1 |
| Общая емкость Сд,пФ | 20 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod523 |
| Вес, г | 0.02 |


