The BAR 63-03W E6327 is a Silicon PIN Diode with single configuration for high speed switching of RF signals. It has very low forward resistance, low insertion loss and suitable for frequencies up to 3GHz.
• Very low capacitance (high isolation)
• -55 to 125°C Operating temperature range
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 50 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 50 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.1 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.1 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.05 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.2 |
| при Iпр.,А | 0.1 |
| Общая емкость Сд,пФ | 0.3 |
| Рабочая температура,С | -55…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod323 |
| Вес, г | 0.05 |


