The LL4448-GS08 is a silicon epitaxial planar Small Signal Fast Switching Diode for extreme fast switches.
• 75V Reverse voltage VR
• AEC-Q101 qualified
• 175°C Junction temperature
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.5 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 50 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1 |
| при Iпр.,А | 0.1 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.008 |
| Общая емкость Сд,пФ | 4 |
| Рабочая температура,С | -65…175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | MiniMELF |
| Вес, г | 0.05 |

