Rectifier Diodes, 4A to 9A, ON Semiconductor
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 800 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 800 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 4 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 70 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 25 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.85 |
| при Iпр.,А | 4 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.075 |
| Рабочая температура,С | -65…175 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | smc |

