Rectifier Diodes, WeEn Semiconductors
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 200 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 200 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 20 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 125 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 0.6 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.15 |
| при Iпр.,А | 20 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.025 |
| Рабочая температура,С | -40…150 |
| Способ монтажа | в отверст. |
| Корпус | to220ab |
| Вес, г | 2.5 |

