Small Signal Switching Diodes, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 2000 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 2000 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 20 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 2 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 2.4 |
| при Iпр.,А | 0.2 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | 0.3 |
| Рабочая температура,С | -55…150 |
| Способ монтажа | в отверст. |
| Корпус | sod57 |
| Вес, г | 0.8 |


