Фильтрация

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

246 347,39 ₽

MOSFET на SiC, 1200V, 16A, идеально для высокоэффективных приложений. Купить от FedExpert

Артикул: 348347 Категория:

Поиск документации на MD22HTC120P6HE

IGBT транзисторы и силовые модули Starpower

Похожие товары

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В

5 900,00 ₽
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В

9 500,00 ₽
CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

4 600,00 ₽
CM600DXP-34T#131G, IGBT модуль 600А 1700В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM600DXP-34T#131G, IGBT модуль 600А 1700В

34 400,00 ₽
DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge

7 000,00 ₽
CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В

30 900,00 ₽
DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge

6 300,00 ₽
DFI100HF12DE1, Модули IGBT , 100 A 1200 V 34mm Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI100HF12DE1, Модули IGBT , 100 A 1200 V 34mm Half Bridge

2 900,00 ₽